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光电子集成芯片技术获突破解决结构与工艺兼容的难题


时间:2017-12-20 编辑:
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作为未来高速大容量光纤通信、全光网络、下一代互联网、宽带光纤接入网所广泛依赖的技——光电子集成芯片及其材料关键技术,近期,专家验收了“光电子集成芯片及其材料关键工艺技术” 项目


“光电子集成芯片及其材料关键工艺技术” 项目针对光子集成中的关键问题,发展了新的器件结构和集成方法,在单一芯片上研究了多波长解复用阵列波导光栅(AWG)与波导探测器阵列的高效耦合集成方法及工艺,有效解决了结构和工艺兼容问题,实现了多波长并行高速波导探测器芯片集成;开展了硅基二氧化硅AWG、硅基PIN型可调光衰减器(VOA)器件制备工艺和集成芯片关键技术研究,制备出硅基AWGVOA集成芯片。通过项目的产业化实用技术研究,形成16通道硅基平面光波回路型AWG芯片、VOA芯片的批量生产能力。

“十三五”期间,为进一步推动我国材料领域科技创新和产业化发展,瞄准国家重大需求、全球技术和产业制高点,科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》,在新材料技术发展方面,重点发展战略性电子材料、先进结构与复合材料、新型功能与智能材料,满足战略性新兴产业的发展需求。

在战略性电子材料发展方向中对高端光电子与微电子材料进行了系统布局, 重点研究低维半导体异质结材料、半导体传感材料与器件、新型高密度存储与自旋耦合材料、高性能合金导电材料、微纳电子制造用新一代支撑材料、高性能电磁介质材料和无源电子元件关键材料、声表面波材料与器件技术等。


关键词:光电子 芯片 探测器    浏览量:558

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